晶體定向儀晶體定向切割方法介紹

      晶體(ti) 定向儀(yi) ：X射線晶體(ti) 定向儀(yi) 利用X射線衍射原理，精密快速地測定天然和人造單晶（壓電晶體(ti) ，光學晶體(ti) ，激光晶體(ti) ，半導體(ti) 晶體(ti) ）的切割角度，與(yu) 切割機配套可用於(yu) 上述晶體(ti) 的定向切割，是精密加工製造晶體(ti) 器件*的儀(yi) 器。該儀(yi) 器廣泛應用於(yu) 晶體(ti) 材料的研究，加工，製造行業(ye) 。

      各向異性是晶體(ti) 的本征特性，即晶體(ti) 在不同方向上具有不同的光學、電學、力學等物理性能，在應用時，根據使用目的不同， 必須對晶體(ti) 進行不同的定向切割。例如，要製作性能優(you) 異的Si 壓力傳(chuan) 感器 ，必須利用 Si 單晶在( 001) 麵上的 110 方向壓阻效應zui大的特性， 定向切割出 Si( 001) 麵， 並在此麵上標出 110 方向， 在此麵上， 沿著 110 方向製作電阻。 AgGaSe 2 晶體(ti) 一般采用自發成核 Bridgman 方法生長， 生長出的晶錠無明顯方向特征， 要研究 AgGaSe 2 晶體(ti) 對粒子的探測性能， 必須定向切割出( 001) 麵。

     晶體(ti) 定向方法很多, 如光象法 、錐光圖法、勞埃定向法 以及近年來利用定向儀(yi) 發展的幾種快速定向法等. 光象法、錐光圖法應用非常局限, 精度很差, 且無法定向切割出任意晶麵. 勞埃法雖然很經典、適用性廣, 但定向過程十分繁瑣、費時, 對操作者要求有較豐(feng) 富的經驗. 利用定向儀(yi) 的幾種快速定向法, 具有較強的實用性, 但要定向切割出任意晶麵, 其操作過程也很繁瑣。

      我們(men) 發展了一種僅(jin) 需已知晶體(ti) 某一晶麵，即能定向切割出所需任意晶麵( 或晶向) 的方法，定向切割操作快速、準確、簡捷。 在實際工作中，已知晶體(ti) 的某一晶麵是普遍存在的事實，例如提拉法、水溶液法、水熱法和熔鹽法生長的晶體(ti) ，至少已知某一晶麵。無籽晶的焰熔法和 Bridgman 等法生長的晶體(ti) 一般雖無方向特征， 但因解理性是晶體(ti) 的基本屬性， 很容易從(cong) 晶體(ti) 上得到易解理麵。焰熔法生長的紅寶石極易得到其解理麵( 1102) 或( 1120) ， 用 Brigdman 方法生長的AgGaSe2 晶體(ti) 極易得到( 101) 或( 112) 解理麵。 因而，此法在實際工作中具有很強的實用性和推廣價(jia) 值。